产品简介：
       
        我厂自1971年开始单晶的研制与生产，1972年5月成功研制出铌酸锂单晶。经过三十年的发展，建立了一整套晶体生长、晶体加工的科研生产体系，其中铌酸锂(LN)单晶1984年获省部級一等奖、Φ50mm钽酸锂(LT)单晶被评为1995年度国家級新产品、Φ3英寸钽酸锂(LT)单晶棒评为1998年度国家级新产品。所生产的高品质晶棒、晶片不仅满足国内市场，还出口到美国、日本、韩国、台湾、香港等国家和地区，受到国內外用户的一致好评。   
        2001年，我公司引进了一整套具有国际先进水平的晶片加工生产线，清洗、包裝均在1000級净化条件下进行，使晶片的加工能力和精度达到国内领先、国际一流水平。    铌酸锂(LiNbO_3，简称LN)晶体及晶片用途：铌酸锂（LN）晶体是一种多功能晶体，具有优良的压电效应、电光效应、声光效应、非线性效应及光折变效应。广泛应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡等方面。

     主要产品：
        
         铌酸锂（LiNbO₃）单晶棒

         轴向：　Y41°、Y64°、Y128°、Y135°、Y140°、Y、 X、Z

         直径：　Φ2英寸、Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸

     LN单晶棒技术条件:

     执行标准：YS/554-2007

         定向面：±18'

         参考面：±12'

         极化：单疇

         SAW級LN单晶片技术条件：

         生长方向：以上各种晶向±18'

          直径：Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸　　　　　　　

         片厚：0.35mm~0.37mm

         参考面宽度：根据用戶要求

         平整度：≤10μm

          弯曲度：≤10μm

          表面：镜面抛光

          背面：根据用戶要求       倒角：完全

          根据客户的要求提供不同生长方向的LN Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸声表級晶体、光学級晶体、掺杂晶体等新产品，为客户提供满意的产品与服务。