钽及钽合金靶材
钽的熔点2996℃,密度16 68g cm3,导热系数(25℃):54(W M K),钽具有高导电性、高热稳定性和对外来原子的阻挡作用，故用贱射镀膜法在集成电路上镀上钽膜，可防止铜向基体硅中扩散。钽靶材主要用于半导体及光学领域。 我公司的钽靶材采用EB电子轰击制备的钽锭,通过轧制和退火工艺结合的方法生产而成。该方法生产的靶材具有良好的内部结构、均匀的结晶组织、织构以及能量分布。 目前产品远销到日本、韩国、台湾、美国等国家和地区。
产品： 钽靶材、钽钨合金靶材、钽铌合金靶材
钽靶材纯度： 3N5、4N及4N5三种级别
其他指标可以根据客户要求组织生产
产品厚度： > 3.50mm
产品宽度： < 600mm
产品长度： < 1500mm
注：需方如有特殊要求，供需双方可协商确定。
钽靶材纯度： 3N5、4N及4N5三种级别
其他指标可以根据客户要求组织生产
产品厚度： > 3.50mm
产品宽度： < 600mm
产品长度： < 1500mm
注：需方如有特殊要求，供需双方可协商确定。
